詳細はこちら。トポロジカルディラック半金属/強磁性絶縁体の接合系での量子輸送現象の解析を行った論文です。強磁性側で発生した振動磁場によって、トポロジカルディラック半金属において半量子化した電流が誘起されることを示しました。また、逆効果として、トポロジカルディラック半金属に電場をかけることで発生するスピン流によって、強磁性体側のスピンが反転する磁化スイッチ現象がおきることを示しました。
この論文の結果は、トポロジカルディラック半金属を用いることで、効率の高いスピン-電荷変換、低散逸のスピンスイッチングが可能であることをしています。
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